P-SI

作品数：177被引量：223H指数：7
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Large phase shift of spatial soliton in lead glass by cross-phase modulation in pump-signal geometry
《Chinese Physics B》2014年第8期345-349,共5页寿倩 刘东文 张翔 胡巍 郭旗 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.11274125)
We investigate the co-propagation of a strong pump beam and a weak signal beam in lead glass, and find that the large phase shift of the strongly nonlocal spatial optical soliton （SNSOS） can be realized via cross-ph...
关键词：strongly nonlocal spatial solitons large phase shift lead glass 
Frequency and voltage-dependent electrical and dielectric properties of Al/Co-doped PVA/p-Si structures at room temperature
《Chinese Physics B》2014年第4期545-550,共6页Ibrahim Ycedag Ahmet Kaya Semsettin Altindal Ibrahim Uslu 
In order to investigate of cobalt-doped interracial polyvinyl alcohol （PVA） layer and interface trap （Dit） effects, A1/p- Si Schottky barrier diodes （SBDs） are fabricated, and their electrical and dielectric pro...
关键词：Al/Co-PVA/p-Si （MPS） electrical and dielectric properties AC electrical conductivity frequencyand voltage dependence 
Electrical and dielectric properties of Al/p-Si and Al/perylene/p-Si type diodes in a wide frequency range
《Chinese Physics B》2014年第1期519-524,共6页
The perylene （C20H12） layer effect on the electrical and dielectric properties of Al/p-Si （MS） and Al/perylene/p-Si （MPS） diodes have been investigated and compared in the frequency range of 0.7 kHz-2 MHz. Exper...
关键词：organic-inorganic based Schottky diodes perylene （C20H12） interfacial layer electrical and di-electric properties frequency and voltage dependence 
AlGaInP-Si glue bonded high performance light emitting diodes被引量：1
《Chinese Physics B》2011年第8期354-357,共4页陈依新 沈光地 郭伟玲 高志远 
Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2006AA03A121);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB604900)
We propose a new method of using conductive glue to agglutinate GaAs based A1CaInP light emitting diodes （LEDs） onto silicon substrate, and the absorbing GaAs layer is subsequently removed by grinding and selective ...
关键词：glue agglutinated AlGaInP LEDs Si substrate luminous intensity 
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