PTAT

作品数：35被引量：59H指数：4
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相关机构：西安电子科技大学北京大学西南交通大学中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
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一种低压I_(PTAT)~2曲率校正CMOS带隙基准源的设计被引量：3
《微电子学与计算机》2007年第3期85-87,共3页肖明 吴玉广 何凤琴 
军事电子预研基金项目(51408010205DZ0165)
基于Chrt 0.35μmCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,设计了一个类似IP2TAT电流产生电路,获得了一个电路结构简单,性能更佳的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-110范围内,平均温度系数约6ppm/℃...
关键词：带隙基准源 曲率校正 温度系数 
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