PTCDA

作品数：40被引量：43H指数：4
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p-Si(110)衬底上蒸发生长PTCDA薄膜的生长方式的XRD表征
《光电子》2021年第4期190-196,共7页李霞 孙硕 张福甲 
我们用XRD对p-Si(110)衬底上蒸发沉积的不同厚度的PTCDA薄膜进行了性能表征。XRD测试结果表明PTCDA在p-Si(110)面上均以晶体方式生长。随蒸发时间变化,即随着PTCDA薄膜的厚度增加,在生长的薄膜中出现了α型和β型两种并存的PTCDA。不同...
关键词：真空蒸发 PTCDA 薄膜 XRD 生长方式 
PTCDA纯度对PTCDA/p-Si光电探测器性能的影响
《光电子》2021年第4期205-213,共9页李霞 张盛东 王静 张浩力 张福甲 
本文研究不同纯度的PTCDA制备的PTCDA/p-Si光电探测器的制备和性能。研究结果表明:PTCDA纯度越高,制备的探测器暗电流越小,光电流越大。制备的探测器的正向电流–电压特性越好,呈二极管特性曲线。而且探测器的反向暗电流越小,其反向光...
关键词：PTCDA 纯度 OIHJ 光电探测器 I-V特性 
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