PTSI

作品数：70被引量：46H指数：4
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相关机构：重庆光电技术研究所电子科技大学哈尔滨工业大学西安交通大学更多>>
相关期刊：《半导体杂志》《医疗卫生装备》《微电子学》《Chinese Physics Letters》更多>>
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电阻法测试超薄膜厚度的研究被引量：1
《半导体光电》2012年第4期537-539,共3页万晓枫 刘爽 何存玉 
国家自然科学基金项目(61177035);四川省科技支撑项目;四川省应用基础研究项目
常规方法测试超薄膜的厚度存在很大困难。介绍一种测试约4nm PtSi厚度的电阻率法。先制备厚度约40nm的薄膜,测试出薄膜电阻率,再考虑超薄膜的表面效应、尺寸效应,推导出超薄膜电阻率与薄膜电阻率的关系式,测试超薄膜方电阻,计算出超薄...
关键词：超薄PtSi膜 厚度测试 尺寸效应 TEM晶格像 
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