P型半导体

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相关机构:复旦大学中国科学院上海大学华东师范大学更多>>
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氧化镍空穴材料在Ⅱ-Ⅵ族量子点电致发光器件中的应用进展
《材料导报》2024年第14期1-8,共8页林坚 张松林 王悦安 孙浩 聂钰昌 陈德睢 
国家自然科学基金(22001187);中国博士后基金(2018M640548);江苏省高等学校自然科学研究项目(20KJB150032)。
鉴于高效发光的Ⅱ-Ⅵ族量子点(Ⅱ-ⅥQD)电致发光(EL)器件已达到基本的商用需求,器件长期性能(寿命)受到了更多的重视。Ⅱ-ⅥQD EL器件中PEDOT:PSS材料易吸湿、易腐蚀ITO电极,这对器件寿命及商业应用潜力存在负面影响。采用高稳定性的Ni...
关键词:氧化镍 P型半导体 量子点 电致发光 掺杂 表面修饰 
p型透明导电SrCu_2O_2薄膜电学性能的研究进展
《材料导报》2007年第F11期322-325,共4页高岭 方亮 董建新 彭丽萍 陈勇 汪立文 
重庆市自然科学基金(CSTC20054718);教育部"新世纪优秀人才支持计划"(NCET-05-0764);中国博士后科学基金(200537544)资助
SrCu_2O_2是一种新型可掺杂为p型导电的直接带隙透明氧化物半导体,其沉积温度低,基于p-SrCu_2O_2和n-ZnO薄膜已经成功制备出异质结透明近紫外发光二极管,预示着其广阔的应用前景。对SrCu_2O_2的能带结构进行了详细说明,分析了p型TCO的...
关键词:SrCu2O2 透明导电膜 带隙 P型半导体 
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