P阱

作品数：13被引量：7H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：徐跃陈亮秦玉香杨冰杨银堂更多>>
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司南京邮电大学上海华力微电子有限公司天津大学更多>>
相关期刊：《电子质量》《测试技术学报》《中国设备工程》《电子产品世界》更多>>
相关基金：国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=电子产品世界x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于线性提升和高速低噪声比较器技术的10 bit 160 MSPS SAR ADC设计被引量：1
《电子产品世界》2021年第12期75-81,共7页曾鑫 冯志斌 张正平 徐代果 
基于采样管p阱浮空技术用于寄生电容电荷补偿,实现采样开关高线性度。使串联的两个寄生电容的容值变化方向相反,从而实现了容值的相互补偿,使输入管的寄生电容容值不随输入信号幅度变化,相较传统技术,采样开关的线性度得到进一步提高。...
关键词：10 bit 160 MSPS 采样管p阱浮空技术 高速低噪声比较器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部