RIE

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A novel loss compensation technique analysis and design for 60 GHz CMOS SPDT switch
《Journal of Semiconductors》2016年第1期88-91,共4页郑宗华 孙玲玲 刘军 张胜洲 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61331006;61372021)
A novel loss compensation technique for a series-shunt single-pole double-throw （SPDT） switch is pre- sented operating in the 60 GHz. The feed-forward compensation network which is composed of an NMOS, a couple capa...
关键词：feed-forward compensation series-shunt single-pole double-throw （SPDT） switch CMOS 
Fabrication of a 100%fill-factor silicon microlens array
《Journal of Semiconductors》2012年第3期48-51,共4页闫建华 欧文 欧毅 
A simple method has been developed for the fabrication of a silicon microlens array with a 100%fill factor and a smooth configuration.The microlens array is fabricated by using the processes of photoresist（SU8- 2005...
关键词：thermal reflow microlens array RIE SU8-2005 photoresist 
TiSi_2/n^+poly-Si复合结构热处理对磷再分布及RIE的影响
《Journal of Semiconductors》1991年第12期749-754,T002,共7页徐秋霞 周锁京 赵玉印 
本文对热处理过程中多晶硅中掺杂磷在 TiSi_2/n+poly-Si复合结构中的再分布行为和产生原因及其对RIE刻蚀的影响进行了系统的研究,提出了抑制高掺杂多晶硅中磷外扩散的方法和微图形成形应在退火前完成的建议.研制成的沟道长度为 0.6 μm...
关键词：TiSi Polycide 复合结构 热处理 
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