SBD

作品数：204被引量：259H指数：7
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Modeling,simulations,and optimizations of gallium oxide on gallium-nitride Schottky barrier diodes
《Chinese Physics B》2021年第2期457-461,共5页Tao Fang Ling-Qi Li Guang-Rui Xia Hong-Yu Yu 
With technology computer-aided design(TCAD)simulation software,we design a new structure of gallium oxide on gallium-nitride Schottky barrier diode(SBD).The parameters of gallium oxide are defined as new material para...
关键词：technology computer-aided design(TCAD) gallium oxide(Ga2O3) gallium nitride(GaN) Schottky barrier diode(SBD) 
Electric field modulation technique for high-voltage AlGaN/GaN Schottky barrier diodes被引量：1
《Chinese Physics B》2013年第10期406-411,共6页汤岑 谢刚 张丽 郭清 汪涛 盛况 
Project supported by the Science Foundation of the Ministry of Education of China (Grant No.20100101110056);the Natural Science Foundation of Zhejiang Province of China for Distinguished Young Scholars (Grant No.R1100468)
A novel structure of AIGaN/GaN Schottky barrier diode （SBD） featuring electric field optimization techniques of anode-connected-field-plate （AFP） and magnesium-doped p-type buried layer under the two-dimensional e...
关键词：gallium nitride high voltage SBD field plate magnesium buried layer 
High energy electron radiation effect on Ni/4H-SiC SBD and Ohmic contact被引量：2
《Chinese Physics B》2009年第8期3490-3494,共5页张林 张义门 张玉明 韩超 马永吉 
supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60606022);the Xian Applied Materials Foundation (Grant No XA-AM-200702);the Advanced Research Foundation (Grant No 9140A08050508)
The Ni/4H-SiC Schottky barrier diodes （SBDs） and transfer length method （TLM） test patterns of Ni/4H-SiC Ohmic contacts were fabricated, and irradiated with i MeV electrons up to a dose of 3.43 × 10^14 e/cm^-2. A...
关键词：silicon carbide Schottky barrier diode Ohmic contact electron radiation 
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