SCHOTTKY二极管

作品数：9被引量：17H指数：2
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6H-SiC Schottky二极管的正向特性
《Journal of Semiconductors》2003年第5期504-509,共6页尚也淳 刘忠立 王姝睿 
提出了一种考虑 Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的 Si C Schottky二极管 ( SBD)正向特性模型 ,势垒的不均匀性来自于 Si C外延层上的各种缺陷 ,而界面层上的压降会使正向 Schottky结的有效势垒增高 .该模型能够对不同温度下 Si C S...
关键词：Schottky结 势垒不均匀性 界面层 二极管 正向特性 6H-SIC 
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