SI-SIO2

作品数:9被引量:11H指数:2
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Radiation-induced plasmons in St-SiO_2
《Nuclear Science and Techniques》1999年第1期1-4,共4页LIU ChangShi (Xinjiang Petroleum Collage, Urnmqi 830000) 
Beijing Zhongguancun Associated Center of Analysis and Measurement
The first level plasmons of Si in the pure Si state (corresponding to bonding energy (BE) of 116.95 eV) and in the SiO2 state (corresponding to BE of 122.0 eV) of Si-SiO2 prepared by irradiation hard and soft pr...
关键词:SI-SIO2 辐照感生质粒基因组 辐照剂量 
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