SI-SIO2

作品数：9被引量：11H指数：2
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相关机构：中国科学院河北理工大学中国电子科技集团公司第十八研究所中国华晶电子集团公司更多>>
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用XPS研究^(60)Co对抗辐射加固和非加固Si-SiO_2的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》1993年第3期255-260,共6页刘昶时 赵元富 
对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO_2系统进行了^(60)Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO_2在硅的二氧化硅态和过渡态,氧的剩余氧态和负二价氧态的XPS谱上具有较大差异;其中非加固样品的XPS谱与辐照条件具有强...
关键词：XPS 辐射加固 非加固 SI-SIO2 CO 
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