云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SI1-X-YGEXCY

SI1-X-YGEXCY: 作品数：4被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：程雪梅郑有炓朱顺明罗志云韩平更多>>; 相关机构：南京大学浙江大学上海交通大学更多>>; 相关期刊：《高技术通讯》《半导体技术》《电子与封装》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家攀登计划国家教育部博士点基金更多>>

检索结果分析

选择条件：

共条记录，以下是1-1

全选清除导出

视图：

排序：

Si基富Ge含量Si_(1-x-y)Ge_xC_y异质结构的热退火行为研究: 《高技术通讯》2000年第10期32-35,共4页程雪梅郑有炓韩平刘夏冰朱顺明罗志云江若琏; 国家自然科学基金!( 696360 4 0 );高等学校博士学科点专项科研基金;国家攀登计划资助项目; 研究了Si基富Ge含量的Si1 x yGexCy 异质结构的热退火行为。采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)法在Si(10 0 )衬底上淀积一层厚度为 170nm的Si1 x yGexCy 薄膜 (x～ 0 .7,y～ 0 .15) ,并在其上覆盖一Ge层。将样品分别在 6 50℃和 80 ...; 关键词：热退火 GE/SI1-X-YGEXCY/SI异质结构 PECVD 硅基三元体系合金