SIH4

作品数：53被引量：44H指数：2
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The effects of process conditions on the plasma characteristic in radio-frequency capacitively coupled SiH_4/NH_3/N_2 plasmas: Two-dimensional simulations
《Chinese Physics B》2013年第4期338-343,共6页刘相梅 宋远红 姜巍 易林 
Project supported by the China Postdoctoral Science Foundation (Grant No. 2012M511603);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 11105057 and 10775025);the Natural Science Foundation of Hubei Province of China (Grant No. 2007ABA035);the Program for New Century Excellent Talents in University of China (Grant No. NCET-08-0073)
A two-dimensional （2D） fluid model is presented to study the behavior of silicon plasma mixed with SiH4 , N2 , and NH3 in a radio-frequency capacitively coupled plasma （CCP） reactor. The plasma–wall interaction ...
关键词：capacitively coupled plasma process conditions effects SiH4/NH3/N2 discharges 
Silane photoabsorption spectra mear the Si 2p thresholds：the geometry of Si 2p excited SiH4
《Chinese Physics B》2003年第3期275-286,共12页张卫华 李家明 等 
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