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作品数：3737被引量：7355H指数：27
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4^(th) Editorial Board of Rare Metals
《Rare Metals》2024年第12期F0002-F0002,共1页
RARE METALS 4^(th) Editorial Board of Rare Metals
《Rare Metals》2024年第10期F0002-F0002,共1页
4^(th) Editorial Board of Rare Metals
《Rare Metals》2024年第8期F0002-F0002,共1页
RARE METALS 4^(th) Editorial Board of Rare Metals
《Rare Metals》2024年第3期F0002-F0002,共1页
RARE METALS 4^(th) Editorial Board of Rare Metals
《Rare Metals》2023年第11期F0002-F0002,共1页
RARE METALS 4^(th) Editorial Board of Rare Metals
《Rare Metals》2023年第10期F0002-F0002,共1页
4^(th) Editorial Board of Rare Metals
《Rare Metals》2023年第3期F0002-F0002,共1页
4^(th) Editorial Board of Rare Metals
《Rare Metals》2022年第5期F0002-F0002,共1页
4^(th) Editorial Board of Rare Metals
《Rare Metals》2022年第3期F0002-F0002,共1页
Growth and properties of hydrogenated microcrystalline silicon thin films prepared by magnetron sputtering with different substrate temperatures被引量：5
《Rare Metals》2022年第3期1037-1042,共6页Lin-Qing Wang Wei-Yan Wang Jin-Hua Huang Rui-Qin Tan Wei-Jie Song Jian-Min Chen 
financially supported by the Young Scientists Fund of the National Natural Science Foundation of China (No. 61106096);the Natural Science Foundation of Ningbo, China (No. 2012A610120)。
Hydrogenated microcrystalline silicon (μcSi:H) thin films were deposited by an radio frequency (RF)(13.56 MHz) magnetron sputtering at different substrate temperatures (100–300℃), and the influences of substrate te...
关键词：μc-Si:H thin films Magnetron sputtering Substrate temperature Hydrogen content 
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