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TI/AL/NI/AU: 作品数：14被引量：12H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张弓长王承栋冯士维张跃宗张国义更多>>; 相关机构：北京工业大学北京大学西安电子科技大学石家庄学院更多>>; 相关期刊：《科学通报》《微纳电子技术》《材料导报》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划河北省科技计划项目更多>>

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Mechanism of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures via laser annealing: 《Chinese Physics B》2019年第3期342-346,共5页Mingchen Hou Gang Xie Kuang Sheng; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.51577169 and 51777187);the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2017YFB0402804); The physical mechanisms of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures by laser annealing and rapid thermal annealing are systematically investigated. The microstructures indicate that a better surface mo...; 关键词：GALLIUM NITRIDE ohmic CONTACTS laser ANNEALING current transport MECHANISM