T形栅

作品数：12被引量：5H指数：2
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f_T为102GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
《半导体技术》2014年第6期419-422,共4页沈群力 韩婷婷 敦少博 吕元杰 顾国栋 冯志红 
研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8μm。电子束光刻实现T型栅和源漏,保证了器件小的栅长和高的对准精度。制备的器...
关键词：AlGaNGaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) T形栅 源漏间距 
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