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A 1G-cell floating-gate NOR flash memory in 65 nm technology with 100 ns random access time被引量：1: 《Science China(Information Sciences)》2015年第4期154-161,共8页LIU LiFang WU Dong LIU XueMei HUO ZongLiang LIU Ming PAN LiYang; supported by National Basic Research Program of China (973 Program) (Grant No. 2011CBA00602);National Nature Science Foundation of China (Grant No. 61106102); A 1G-cell NOR flash memory chip has been designed and fabricated successfully with 65 nm tech- nology. To compromise the array efficiency and chip speed, the paper establishes an array model including parasitics of th...; 关键词：NOR flash memory giga-level 65 nm technology array efficiency high speed