AL/AL2O3

作品数：35被引量：84H指数：5
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The effect of nitridation and sulfur passivation for In0.53Ga0.47As surfaces on their Al/Al2O3/InGaAs MOS capacitors properties
《Journal of Semiconductors》2016年第2期155-159,共5页林子曾 曹明民 王盛凯 李琦 肖功利 高喜 刘洪刚 李海鸥 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61274077,61474031,61464003);the Guangxi Natural Science Foundation(Nos.2013GXNSFGA019003,2013GXNSFAA019335);the Project(No.9140C140101140C14069);the Innovation Project of GUET Graduate Education(No.YJCXS201529);the National Science&Technology Major Project of China(No.2011ZX02708-003)
The impact of nitridation and sulfur passivation for Ino.s3Gao.47As surfaces on the A1/A1203/InGaAs MOS capacitors properties was investigated by comparing the characteristics of frequency dispersion and hysteresis, c...
关键词：N2 plasma （NH4）2Sx treatment interface properties MOS capacitors 
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