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BSIM: 作品数：21被引量：28H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：韩郑生刘军海潮和李瑞贞李庆华更多>>; 相关机构：杭州电子科技大学中国科学院微电子研究所华东师范大学北京华大九天科技股份有限公司更多>>; 相关期刊：《微电子技术》《Journal of Microelectronic Manufacturing》《微电子学与计算机》《Chinese Journal of Electronics》更多>>; 相关基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金美国国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>

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MOSFET模型&参数提取被引量：8: 《微电子技术》2003年第4期23-28,38,共7页李庆华韩郑生海潮和; 器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口 ,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型 ,并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。; 关键词：MOSFEX BSIM 模型参数提取