BSIM3V3

作品数：10被引量：13H指数：2
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相关作者：谷峰刘军孙玲玲刘志宏李海更多>>
相关机构：清华大学杭州电子科技大学复旦大学中国科学院更多>>
相关期刊：《电子世界》《微电子学与计算机》《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
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一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化被引量：1
《电子器件》2014年第6期1049-1053,共5页禹玥昀 林宏 赵同林 狄光智 石艳玲 
研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究...
关键词：SPICE模型 BSIM3v3模型 热载流子注入(HCI) 可靠性 参数 
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