CMOS带隙基准电压源

作品数：35被引量：104H指数：6
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新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源被引量：1
《厦门大学学报（自然科学版）》2006年第6期789-791,共3页胡洪平 冯勇建 
福建省自然科学基金(2002H020)资助
运用带隙基准的原理，采用0．5μm的CMOS（Complementary Metal—Oxide Semiconductor）工艺，设计了一个新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源．HSPICE仿真结果表明：电源电压‰最低可达1．9V，在温度-30～125℃范围内，电源电压VDD在1...
关键词：带隙 基准电压源 CMOS 启动电路 
一种低压高精度的CMOS带隙基准电压源
《中国机械工程》2005年第z1期182-183,共2页高国清 冯勇建 
采用0.5μm CMOS工艺设计了一种高精度低压基准电压源.提出了一种结构比较新颖的基准电压源电路,该基准电压源电路具有较低的温度系数、较大的温度范围和较高的电源抑制比.此外,还增加了提高电源抑制比电路、启动电路,以保证电路工作点...
关键词：带隙 电源抑制比 温度系数 基准电压源 
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