CMOS带隙基准源

作品数：58被引量：185H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王宇星杨银堂蔡伟王宗民陆铁军更多>>
相关机构：西安电子科技大学电子科技大学清华大学东南大学更多>>
相关期刊：《集成电路应用》《微纳电子技术》《电子器件》《电子与信息学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金军事电子预研基金北京市科技计划项目湖南省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=电子科技x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种低温漂、高精度CMOS带隙基准源设计被引量：1
《电子科技》2012年第8期6-9,共4页王宇星 曹校军 姜盛瑜 吴金 
基于线性分段补偿的基本原理,依据输出支路内部的温度负反馈结构,提出了一种结构简单、适应不同开口方向的高阶补偿方法。并设计了一种基于电流镜结构的低温漂、高精度的电压基准电路。CSMC 0.35μm CMOS工艺的仿真结果表明,经高阶补偿...
关键词：CMOS带隙基准源 低压 曲率补偿 温度系数 
一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源被引量：1
《电子科技》2006年第2期13-16,共4页唐华 肖明 吴玉广 
基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路。在1V电源电压下,采用1μmCMOS工艺进行仿真,温度系数在-20～120℃范围内达到13×10-6,低频...
关键词：自偏置 PTAT 温度系数 电源抑制比 
一种低电压CMOS带隙基准源的分析与设计被引量：2
《电子科技》2005年第12期20-23,共4页杨永豪 
分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压。基于0.5um商用标准CMOS工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基...
关键词：CMOS带隙基准 温度系数 低电压 PTAT电流 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部