CMOS反相器

作品数:42被引量:50H指数:4
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:赵建文崔铮李静月刘刚王泉更多>>
相关机构:西安电子科技大学电子科技大学中国科学院中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊:《无线电》《微处理机》《山西电子技术》《微电子学》更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖北省自然科学基金国家科技型中小企业技术创新基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=安全与电磁兼容x
条 记 录,以下是1-1
视图:
排序:
电磁波对CMOS反相器扰乱作用的仿真分析被引量:1
《安全与电磁兼容》2013年第6期69-72,共4页饶育萍 张志强 刘洋 
介绍了FDTD-PSPICE法进行场-路计算的基本方法和优势,利用该方法仿真计算了强电磁脉冲辐照对CMOS反相器逻辑电平的扰乱作用,发现强电磁脉冲可致使CMOS反相器的逻辑电平发生畸变或发生翻转,并比较了不同频率、不同强度电磁脉冲对CMOS电...
关键词:FDTD—PSPICE CMOS 电磁波 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部