CMOS射频低噪声放大器

作品数：6被引量：12H指数：2
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0.18 μm CMOS射频低噪声放大器设计被引量：1
《现代电子技术》2014年第24期98-100,104,共4页张子博 郝建华 孟泽 陈宜文 
基于TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,设计了一种工作于2.4 GHz频段的低噪声放大器。电路采用Cascode结构,为整个电路提供较高的增益,然后进行了阻抗匹配和噪声系数的性能分析,最后利用ADS2009对其进行了模拟优化。最后仿真结果显示。该放大器...
关键词：CMOS 低噪声放大器 噪声系数 阻抗匹配 
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