CMOS射频低噪声放大器

作品数：6被引量：12H指数：2
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相关期刊：《中国集成电路》《电子技术应用》《微电子学》《现代电子技术》更多>>
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2.4GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计被引量：2
《中国集成电路》2017年第1期35-39,共5页叶有祥 周盛华 李海华 
浙江省科技厅公益项目(2017C33005)
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计应用于蓝牙系统的低噪声放大器。该放大器采用共源共栅结构,输入输出匹配良好。整个电路采用1.8V单电源供电。模拟结果表明:在中心频率2.4GHz处,LNA功率增益为15.2d B,噪声系数为1.85d B,功耗为7.2m W。
关键词：CMOS工艺 低噪声放大器 噪声系数 蓝牙 
0.18 μm CMOS射频低噪声放大器设计被引量：1
《现代电子技术》2014年第24期98-100,104,共4页张子博 郝建华 孟泽 陈宜文 
基于TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,设计了一种工作于2.4 GHz频段的低噪声放大器。电路采用Cascode结构,为整个电路提供较高的增益,然后进行了阻抗匹配和噪声系数的性能分析,最后利用ADS2009对其进行了模拟优化。最后仿真结果显示。该放大器...
关键词：CMOS 低噪声放大器 噪声系数 阻抗匹配 
5.2GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计
《中国集成电路》2010年第12期60-63,87,共5页周盛华 叶有祥 李海华 
中国计量学院高教所课题(HE200905)
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计应用于IEEE 802.11a的无线局域网络的低噪声放大器(LNA)。整个电路采用1.8V单电源供电,输入输出匹配良好。用ADS模拟软件对电路进行分析优化,结果表明:在中心频率5.2GHz处,噪声系数为2.51dB,功率增益为17...
关键词：CMOS工艺 低噪声放大器 噪声系数 ADS 
1.9GHz低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计被引量：1
《电子技术应用》2010年第6期53-56,共4页周建明 陈向东 兰萍 谢睿 徐洪波 
教育部新世纪优秀人才支持计划项目(A0160419950120)
针对1.9GHzPHS和DECT无线接入系统的应用,提出了一种可工作于0.9V低电压的CMOS射频低噪声放大器,并对其电路结构、噪声及线性度等主要性能进行分析。该电路基于传统的折叠结构低噪声放大器,利用晶体管线性补偿技术,实现了低压低功耗下...
关键词：低电压 低功耗 低噪声放大器 噪声系数 线性度 
CMOS射频低噪声放大器的设计被引量：3
《电子器件》2005年第3期489-493,共5页王磊 余宁梅 
日本OKI公司资助项目
讨论了CMOS射频低噪声放大器的相关设计问题,对影响其增益、噪声系数、线性度等性能指标的因素进行了分析,并综述了几种提高其综合性能指标的方法。在此基础上,采用SMIC0.25μmCMOS工艺库,给出了3.8GHzCMOSLNA的设计方案。HSPICE仿真结...
关键词：CMOS工艺 CMOS射频集成电路 CMOS射频低噪声放大器 
低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的研究进展被引量：5
《微电子学》2003年第4期317-323,共7页曹克 杨华中 汪蕙 
国家自然科学基金重大研究计划(90207001)
　由于无线移动终端重量、体积以及成本等各方面的限制,电路必须满足低电压、低功耗的要求。在CMOS射频低噪声放大器中,如何在满足性能指标要求的同时降低电源电压和功耗,已成为当前研究的热点。文章综述了几种降低CMOS低噪声放大器电...
关键词：低电压 低功耗 CMOS 射频电路 低噪声放大器 无线通信 
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