5.2GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计  

Design of 5.2GHz 0.18μm CMOS RF LNA

作　　者：周盛华[1] 叶有祥[1] 李海华[1] 

机构地区：[1]中国计量学院光电学院,杭州310018

出　　处：《中国集成电路》2010年第12期60-63,87,共5页China lntegrated Circuit

基　　金：中国计量学院高教所课题(HE200905)

摘　　要：采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计应用于IEEE 802.11a的无线局域网络的低噪声放大器(LNA)。整个电路采用1.8V单电源供电,输入输出匹配良好。用ADS模拟软件对电路进行分析优化,结果表明:在中心频率5.2GHz处,噪声系数为2.51dB,功率增益为17.373dB。A 5.2 GHz LNA for 802.11a wireless communication system was realized by using TSMC 0.18μm CMOS technology.The whole voltage is 1.8 V,the input and output impedance matched well.Simulation and analysis using ADS simulator showthat the amplifier has the Noise figure（NF）of 2.51 dB and the gain of 17.373 dB at 5.2 GHz.

关 键 词：CMOS工艺 低噪声放大器 噪声系数 ADS 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]