2.4GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计  

Design of 0.18μm CMOS Low Noise Amplifier

作　　者：叶有祥[1,2] 周盛华[1,2] 李海华[1] 

机构地区：[1]中国计量大学光学与电子科技学院,浙江杭州310018 [2]上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093

出　　处：《中国集成电路》2017年第1期35-39,共5页China lntegrated Circuit

基　　金：浙江省科技厅公益项目(2017C33005)

摘　　要：采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计应用于蓝牙系统的低噪声放大器。该放大器采用共源共栅结构,输入输出匹配良好。整个电路采用1.8V单电源供电。模拟结果表明:在中心频率2.4GHz处,LNA功率增益为15.2d B,噪声系数为1.85d B,功耗为7.2m W。A low-noise amplifier for Bluetooth application was realized by using TSMC 0.18μm CMOS technology.The LNA employs cascode structure, Input and output are well-matched. The whole supply voltage is 1.8V. Simulation results indicate：at 2.4GHz, the circuit gain is 15.2dB, the noise figure is 1.85 dB, and the power dissipation is7.2m W.

关 键 词：CMOS工艺 低噪声放大器 噪声系数 蓝牙 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]