CVD技术

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BN掺杂可望制得透明太阳电池
《现代材料动态》2009年第4期9-10,共2页
日本国家材料科学研究所（NIMS）用等离子增强CVD技术制备出高密度多晶BN，并同时进行了激光感生Si掺杂，使BN成为一种宽带隙Ⅲ—Ⅴ族半导体。而在此以前，对BN的掺杂很少成功，使BN成为被“忽略”的半导体材料。所制备的这种半导电致密...
关键词：太阳电池 N掺杂 半导体材料 Si掺杂 CVD技术 等离子增强 科学研究所 激光感生 
金刚石LED
《现代材料动态》2002年第10期8-8,共1页邓志杰 
关键词：发光二极管 CVD技术 渗硼 金刚石LED 
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