FBAR

作品数：104被引量：120H指数：5
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射频反应溅射制备AlN薄膜的研究被引量：1
《传感技术学报》2006年第05A期1459-1461,1465,共4页李侃 董树荣 王德苗 
国家自然科学基金资助项目(50172042)
采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜,在20W/cm2射频功率...
关键词：AIN 压电薄膜 射频反应磁控溅射 择优取向 FBAR 
高模薄膜体声波谐振器(HBAR)的研究
《传感技术学报》2006年第05B期1927-1929,共3页董树荣 王德苗 
国家自然科学基金资助项目(50172042)
高次模薄膜体声波谐振器(HBAR)具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能,在分析HBAR结构和工作模式的基础上,用MBVD模型在ADS上仿真设计了2GHz谐振频率间隔20MHz的HBAR,实验采用掩模合射频溅射制备了这种HBAR,实测谐振频率间隔22MHz...
关键词：FBAR HBAR 压电薄膜 射频反应磁控溅射 谐振频率 
薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振特性的模拟分析被引量：2
《传感技术学报》2006年第05B期1911-1916,1919,共7页汤亮 郝震宏 乔东海 
国家自然科学基金资助课题(90607012)
主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导,并利用该结果对薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析,分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振器谐振特性的影...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) Mason等效电路模型 微波振荡器 双工器 射频微机电系统 
电极形状对FBAR横模特性的影响被引量：2
《传感技术学报》2006年第05B期1924-1926,1929,共4页吴碧艳 
从四类压电方程入手推导了六角晶系压电薄膜的FBAR横模的阻抗特性,分析了产生横模的原因,并基于此用ANYSYS进行了有限元仿真,分析了方形、三角形、圆形和五边形等电极形状对FBAR横模的影响,仿真结果与实际测量值接近,说明了分析方法的...
关键词：FBAR 压电方程 ANYSYS 边界条件 
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