FD-SOI

作品数:44被引量:21H指数:3
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相关机构:上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>
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基于绝缘层上硅衬底的新型半导体光电探测器件研究
《微纳电子与智能制造》2021年第1期57-62,共6页刘坚 万景 
回顾了近年来课题组基于绝缘层上硅衬底(silicon-on-insulator,SOI)实现的一系列新型半导体器件成果。基于正反馈工作机制的零亚阈摆幅器件Z2-FET具有快速开关和栅控回滞特性,可用于高性能存储、静电保护和高灵敏度光电探测等领域。界...
关键词:SOI Z2-FET ICPD 光电探测 PISD FD-SOI 图像传感器 
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