氧化锗

作品数：55被引量：67H指数：4
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SiO_2-GeO_2薄膜电场极化后倍频效率与极化电压的超平方关系
《物理学报》1999年第11期2076-2081,共6页徐志凌 刘丽英 杨鹏 侯占佳 徐雷 王文澄 
国家自然科学基金;国家攀登计划资助
采用溶胶凝胶方法制备了 Ｓｉ Ｏ２ Ｇｅ Ｏ２ 薄膜．通过对薄膜样品平板电极极化和电晕极化后二次谐波产生信号的研究，发现样品中有效偶极子数目随平板电极极化电压的增加而逐渐增大．提出了有效偶极子释放模型，解释了样品倍频...
关键词：薄膜 氧化硅 氧化锗 倍频效率 极化电压 
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