GAASFET

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宽带变容管调谐GaAsFET振荡器
《微纳电子技术》1980年第6期10-10,共1页为民 
美国海军研究所研制了7.4～13.1千兆赫的宽带变容管调谐 GaAsFET 振荡器。振荡器电路做在0.25毫米的杜罗艾德铬合金衬底上。所用 FET 是阿凡蒂克的 M110型器件,其栅长为 0.5微米,栅宽为750微米,在栅和源引线中提供变容管调谐,漏端接地...
关键词：振荡器 电子设备 变容管 变容二极管 GAASFET 宽带 
GaAsFET放大器五种基本的偏置设计
《微纳电子技术》1980年第6期71-75,共5页G.D.Vendelin 赵中慧 
不要忘记 GaAsFET 的直流偏置,迄今一直强调 S 参量和增益压缩点的数据表。但是,如果没有合适的无源参量,你就不可能得到这些有源参量的图表。
关键词：偏置点 放大器 电子设备 GAASFET 
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