GAASFET

作品数：24被引量：6H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李浩模蒋敬旗高建军高学邦李拂晓更多>>
相关机构：南京电子器件研究所电子工业部西安电子科技大学北京理工大学更多>>
相关期刊：《火控雷达技术》《福州大学学报（自然科学版）》《卫星与网络》《电子元件》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
数字微波传输的探讨与应用
《科技传播》2013年第1期195-195,191,共2页叶德彪 
本论文所讲的是运用数字电视微波传输技术,对福州鼓岭微波站的原有模拟微波传输设备进行数字化改造。
关键词：数字微波传输 AGC-自动增益控制 GaAsFET-砷化镓场效应晶体管 
HWADAR华达微波科技有限公司 HWADAR Ka系列低噪声放大器 LKa20000系列Ka波段LNA
《卫星与网络》2010年第8期46-46,共1页
介绍 华达微波科技有限公司Ka系列低噪声放大器是专门设计的卫星地球站的接收前端，也可以作为其他通讯系统的接收前端。可以用于固定站中，也可以用于移动站中。这些精心设计的放大器应用最新的HEMT和GaAsFET技术，在其他一些常用的...
关键词：低噪声放大器 科技 微波 GAASFET 接收前端 卫星地球站 通讯系统 HEMT 
微波GaAs FET放大电路灾变现象的仿真研究
《西南民族大学学报（自然科学版）》2007年第4期846-848,共3页穆玉珠 黄卡玛 
任何含有有源器件的微波放大电路在一定情况下都会表现出非线性特性,同时GaAsFET自身存在的内部反馈和电路元器件的电磁辐射可能会导致信号的正反馈,从而引起放大电路的灾变.本文采用GaAsFET的Curtice-3大信号模型,应用电路定律建立微...
关键词：GAASFET 非线性 Curtice-3 龙格-库塔法 正反馈 灾变 
高线性高输出功率Ku波段GaAsFET
《半导体信息》2005年第6期22-22,共1页陈裕权 
东芝美洲电子元器件公司新添了两款用于卫星通信的高线性、高输出功率内匹配Ku波段功率GaAsFET。上述两款中的9 W Toshiba FIM1414-9L型GaAs FET的频率范围为14. 0 GHz-14.5 GHz,它用于甚小孔径终端(VSAT)用途的Ku波段收发机中的上变频...
关键词：高线性 Ku波段GaAsFET 输出功率 上变频器 收发机 VSAT 封装尺寸 TOSHIBA 频率范围 行波管 
GaAsFET大信号等效电路参数提取被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第4期464-468,480,共6页应子罡 吕昕 高本庆 李拂晓 
将新型算法—退火遗传算法用于GaAsFET大信号等效电路模型参数的提取,给出了具体流程并提取了器件的模型,结果表明该算法快速可靠,文中为提取大信号模型提供了新的方法,并扩展了遗传算法的应用。
关键词：大信号等效电路 参数提取 遗传算法 
GaAsFET 4GHz电调振荡器的设计与制作
《南京林业大学学报（自然科学版）》2005年第1期107-109,共3页李苏萍 
比较了共源、共栅、共漏3种电路,并组合场效应管外延,设计出采用反沟道接法的共漏电路.分析了FET场效应管的特征频率、最大输出功率、单向功率增益和最大振荡频率等主要特性参数.通过制作和调试,完成的GaAsFET振荡器达到频带输出功率＞1...
关键词：FET场效应管 变容管 振荡器 
东芝美洲电子元件公司研制出卫星用90WC波段GaAsFET
《半导体信息》2003年第6期20-20,共1页陈裕权 
东芝美洲电子元件公司宣布研制出业界首只90wC波段GaAsFET。这种型号为TIM5964—90SL的90w器件,5.9～6.4 GHz的典型输出功率为49.5 dBm,其目标用途是用于卫星通信基站或卫星通信地面站以及陆基通信微波数字无线电设备的固态功率放大器...
关键词：卫星通信地面站 WC波段GaAsFET 通信基站 无线电设备 输出功率 陆基 行波管 
GaAsFET的表面漏电
《功能材料与器件学报》2003年第1期47-52,共6页李效白 马农农 侯晓远 
GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响。Na+沾污GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化GaAs场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET表...
关键词：砷化镓场效应管 击穿电压 漏虫 Na^+沾污 硫钝化 
混合参数高灵敏度微波GaAsFET压控振荡器的研制
《现代雷达》1999年第4期100-104,共5页叶海荣 
国家预研基金
介绍了 Ｃ 波段低端的 Ｇａ Ａｓ Ｆ Ｅ Ｔ 压控振荡器（ Ｖ Ｃ Ｏ）。这种振荡器采用混合参数设计技术，选用新型场效应晶体管（ Ｆ Ｅ Ｔ）反沟道电路接法。分析了电路工作原理及影响电压调制带宽的诸因素，提出并解决了一些技术...
关键词：压控振荡器 场效应晶体管 变容二极管 设计 
FET混频参数的计算
《福州大学学报（自然科学版）》1998年第3期103-106,共4页叶宇煌 缪瑞康 
ＧａＡｓＦＥＴ的散射参数与工作状态有关，采用散射参数不能直接求出混频增益．本文介绍一种ＧａＡｓＦＥＴ的混频参数的计算方法．由散射参数求得混频参数，从而求得ＧａＡｓＦＥＴ的混频增益．
关键词：GAASFET 混频器 参数 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部