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GIDL: 作品数：16被引量：12H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>; 相关作者：陈海峰郝跃马晓华曹艳荣朱慧珑更多>>; 相关机构：上海华力集成电路制造有限公司上海华力微电子有限公司西安电子科技大学华东师范大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《Journal of Semiconductors》《电子与封装》《微电子学》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目国家科技重大专项更多>>

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Hot-Carrier Stress Effects on GIDL and SILC in 90nm LDD-MOSFET with Ultra-Thin Gate Oxide被引量：3: 《Chinese Physics Letters》2009年第1期292-295,共4页胡仕刚郝跃马晓华曹艳荣陈炽吴笑峰; Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 60736033 and 60506020.; Hot-carrier degradation for 90 nm gate length lightly-doped drain （LDD） NMOSFET with ultra-thin （1.4 nm） gate oxide is investigated under the low gate voltage stress （LGVS） and peak substrate current （Isub max...; 关键词：field emission molybdenum dioxide enhancement factor