云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- IGBT开关

IGBT开关: 作品数：31被引量：70H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电气工程电子电信更多>>; 相关作者：刘宾礼罗毅飞侯召政焦超群康勇更多>>; 相关机构：华中科技大学北京交通大学华北电力大学中国人民解放军海军工程大学更多>>; 相关期刊：《电力电子》《电子元件与材料》《世界电子元器件》《电力电子技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河南省教育厅科学技术研究重点项目长沙市科技计划项目更多>>

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IGBT开关机理对逆变器死区时间的影响被引量：20: 《电机与控制学报》2014年第5期62-68,75,共8页罗毅飞刘宾礼汪波唐勇; 国家自然科学基金重点项目(50737004);国家自然科学基金(51277178);国家重点基础研究发展计划973项目(2013CB035601); 为了研究逆变器中功率器件对死区时间设置的影响,依据半导体物理理论与死区时间的计算依据,研究了电压、电流、温度对绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)开关时间的影响机理,给出了这3个因素对IGBT开关时间的...; 关键词：逆变器绝缘栅双极型晶体管死区时间开通延时关断时间桥路直通