II-VI族半导体

作品数：3被引量：1H指数：0
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ZnSeTe薄膜的分子束外延生长被引量：1
《半导体技术》2016年第6期461-466,共6页任敬川 刘超 崔利杰 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(61376058)
研究了用分子束外延设备在GaAs（001）衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布（x=0-1）的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品...
关键词：ZnSeTe 分子束外延(MBE) II-VI族半导体 晶体质量 电学性能 
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