云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INGAAS/GAAS量子阱

INGAAS/GAAS量子阱: 作品数：13被引量：27H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：邓军盖红星韩军李建军沈光地更多>>; 相关机构：中国科学院重庆大学北京工业大学南开大学更多>>; 相关期刊：《江西通信科技》《中国激光》《发光学报》《光电子．激光》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划重庆市自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>

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生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响被引量：6: 《发光学报》2008年第2期325-329,共5页贾国治姚江宏舒永春邢晓东皮彪; 国家自然科学基金(60476042);国家重点基础研究发展计划(2006CB921703);天津市应用基础研究计划重点项目(06YFJZJC01100);天津城市建设学院人才启动经费资助项目; 研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明I...; 关键词：应变量子阱偏析脱附光致发光谱