INGAAS/GAAS量子阱

作品数：13被引量：27H指数：4
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InGaAs/GaAs量子阱中自组装InAs量子点的光学性质被引量：1
《半导体光电》2007年第2期198-201,共4页孔令民 姚建明 吴正云 
浙江省舟山市科技项目(06110);浙江海洋学院人才引进项目(211050041)
在InGaAs/GaAs量子阱中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的。采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研...
关键词：自组装InAs量子点 量子阱 时间分辨谱 
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