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Bias-dependent timing jitter of 1-GHz sinusoidally gated InGaAs/InP avalanche photodiode
《Chinese Physics B》2016年第11期662-667,共6页朱阁 郑福 王超 孙志斌 翟光杰 赵清 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11275024,61274024,and 61474123);the Youth Innovation Promotion Association,China(Grant No.2013105);the Ministry of Science and Technology of China(Grant Nos.2013YQ030595-3 and 2011AA120101)
We characterized the dependence of the timing jitter of an InGaAs/InP single-photon avalanche diode on the excess bias voltage（V（ex）） when operated in 1-GHz sinusoidally gated mode.The single-photon avalanche diod...
关键词：jitter gated timing photodiode operated quickly likely gating photon cooled 
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