LOW-PRESSURE

作品数：113被引量：176H指数：7
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Metamorphic In_(0.53)Ga_(0.47)As p-i-n photodetector grown on GaAs substrates by low-pressure MOCVD被引量：1
《Chinese Optics Letters》2007年第6期358-360,共3页王琦 吕吉贺 焦德平 周静 黄辉 苗昂 蔡世伟 黄永清 任晓敏 
This work was supported by the National Basic Research Program of China(No.2003CB314901);the 111 Project(B07005);the Program for New Century Excellent Talents in University of China(NCET-05-0111).
Top-illuminated metamorphic In0.53Ga0.47As p-i-n photodetectors are grown on the ultrathin low- temperature InP buffered GaAs substrates. Photodetectors with the 300-nm-thick In0.53Ga0.47As absorption layer show a typ...
关键词：Bandwidth Integrated circuits Metallorganic chemical vapor deposition Optoelectronic devices Quantum efficiency Semiconducting gallium arsenide Semiconducting indium phosphide 
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