MOS-FET

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接近和低于0.1μm的MOS硅集成电路技术
《微处理机》1999年第2期6-9,共4页郭士东 
本文主要述评了接近和低于 0 .1 μm的 MOS硅集成电路技术面临的挑战。重点论述了晶体管结构、阈值电压调整。
关键词：MOS硅集成电路 MOS-FET 集成电路 制造工艺 
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