MOS2薄膜

作品数:28被引量:112H指数:6
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相关领域:一般工业技术机械工程更多>>
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相关机构:中国科学院东南大学河北大学中国科学院大学更多>>
相关期刊:《无机化学学报》《摩擦学学报(中英文)》《表面技术》《发光学报》更多>>
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MoS2薄膜电子性质随层数变化的理论研究
《电子制作》2019年第11期84-85,共2页张恬 岳芳 林燕菁 周倩 史芹凡 魏云 樊代和 刘其军 刘正堂 
2018年四川省大学生创新创业训练计划项目(2018115);中国高教学会理科教育专业委员会高等理科教育研究课题;西南交通大学十七期重点实验室开放项目(GD201817068);西南交通大学2019年度校级本科教育教学研究与改革项目
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了体相和1-10层3R-MoS2的几何结构和电子结构。计算获得了体相3R-MoS2的几何结构参数,与实验值相一致,表明了计算方法和参数设置的可靠性。随后,分别计算了1-10层3R-MoS2的几何结构和电子...
关键词:MOS2 表面 电子结构 第一性原理 
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