场电子发射

作品数：34被引量：69H指数：4
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纳米多孔硅的场致电子发射性能研究
《半导体光电》2009年第6期904-906,922,共4页蒋洪奎 赵永峰 童国平 蔡南科 郑建龙 虞献文 
浙江省科技厅项目(2008C31013)
对采用阳极氧化法及阴极还原表面处理技术制备的性能稳定的纳米多孔硅,用原子力显微镜(AFM)表征了其微观结构,多孔硅颗粒粒径在30 nm左右。室温条件下测试了多孔硅场电子发射的特性,结果表明,多孔硅具有很好的场致发光性能,在5 V/μm的...
关键词：多孔硅 阳极氧化法 场电子发射 
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