超薄氧化层

作品数：8被引量：1H指数：1
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室温非欧姆区间的SiOx/Si的霍尔效应
《价值工程》2020年第15期222-225,共4页张咪 
在高电场下会出现离子记忆电阻效应、巨大磁电阻等一系列新颖的现象。它们通常源于材料在高电场下的软晶格性质。本文首次报道了硅在室温非欧姆区间的霍尔效应。实验表明,高电场下SiOx/Si的霍尔系数随外加电场强度变化。我们初步揭示高...
关键词：非欧姆区间 表面超薄氧化层 空间电荷效应 霍尔效应 
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