超薄氧化层

作品数：8被引量：1H指数：1
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室温非欧姆区间的SiOx/Si的霍尔效应
《价值工程》2020年第15期222-225,共4页张咪 
在高电场下会出现离子记忆电阻效应、巨大磁电阻等一系列新颖的现象。它们通常源于材料在高电场下的软晶格性质。本文首次报道了硅在室温非欧姆区间的霍尔效应。实验表明,高电场下SiOx/Si的霍尔系数随外加电场强度变化。我们初步揭示高...
关键词：非欧姆区间 表面超薄氧化层 空间电荷效应 霍尔效应 
超薄氧化层制备及其可靠性研究
《电子与封装》2011年第3期29-32,共4页刘国柱 陈杰 林丽 许帅 王新胜 吴晓鸫 
文章简述了超薄氧化层SiO2的击穿机理,采用了恒定电流法表征超薄氧化层TDDB效应,并研究了清洗方法、氧化温度、氧化方式等工艺因素对超薄氧化层的可靠性影响。实验表明,在850℃、900℃等高温条件下,可通过干氧N/O分压的方法制备厚度4nm...
关键词：超薄氧化层 TDDB QBD 早期击穿 
镶嵌在超薄SiO_2层中的纳米硅的库仑阻塞现象
《Journal of Semiconductors》2003年第1期29-33,共5页石建军 吴良才 鲍云 刘嘉瑜 马忠元 戴敏 黄信凡 李伟 徐骏 陈坤基 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 710 19;90 10 10 2 0 ) ;国家重点基础研究 (批准号 :2 0 0 1CB610 5 0 3 ) ;江苏省高科技研究 (No.BG2 0 0 10 0 2 )资助项目~~
采用等离子体氧化和逐层 (layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了 Si O2 /nc- Si/Si O2 的双势垒纳米结构 ,从 nc- Si薄膜的喇曼谱中观察到结晶峰 ,估算出该薄膜的晶化成分和平均晶粒尺寸分别约为...
关键词：SIO2 库仑阻塞 二氧化碳 纳米硅 超薄氧化层 隧穿 
绝缘与介电材料
《电子科技文摘》2000年第4期6-6,共1页
Y2000-62027-47 0005365各种电介质(1)(收录论文8篇)=Dielectrics I[会,英]//1999 IEEE International Reliability Physics Sym-posium.—47～98(UC)收入本部分的论文题目有:栅氧化层可靠性的统一模型,薄栅氧化层击穿用的与电场有关的...
关键词：介电材料 可靠性预计 超薄栅氧化层 统一模型 电介质 收录论文 超薄氧化层 论文题目 电场 绝缘料 
超薄氧化层的电击穿特性被引量：1
《微电子技术》1999年第1期20-24,共5页于宗光 黄卫 
江苏省青年科技基金!BQ96040
本文在测试分析N+理层—隧道氧化层一多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）的I－V特性、I－t特性、V－t特性的基础上，对隧道氧化层的击穿特性进行了理论分析，并...
关键词：隧道氧化层 击穿 可靠性 
超薄氧化层的Q_(BD)成品率的研究
《微电子技术》1997年第5期39-42,共4页徐政 陈菊英 钟萍 张继 
关键词：超薄氧化层 MOS电路 QBD成品率 制造工艺 
钯/超薄氧化层/硅隧道二极管氢敏器件的研制
《半导体技术》1997年第2期18-19,55,共3页李树荣 郭维廉 李良全 
本文采用Ｐｄ／ＵＴＳｉＯ２／ｎ－Ｓｉ隧道二极管结构，研制出在常温下空气中。
关键词：钯 MIS 隧道二极管 氢敏器件 
金硅面垒探测器中超薄氧化膜的研究
《核电子学与探测技术》1987年第2期65-68,共4页蒋锦江 严美琼 申勇 林理彬 
采用激光椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪和电学方法等手段对面垒探测器中的Au-Si界面进行了研究。实验结果表明,在Au-Si之间存在一层数纳米厚的薄氧化层,它的成分和结构与制作工艺有关,通常是不完全氧化膜,它的存在对探测器性能有重大作用。
关键词：面垒探测器 超薄氧化层 激光椭圆偏振仪 俄歇电子能谱 
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