MOS电路

作品数:36被引量:37H指数:3
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:沈理胡谋吴训威陈盘训牟维兵更多>>
相关机构:中国科学院深圳市羽微电子有限公司微电子有限公司上海交通大学更多>>
相关期刊:《微电子技术》《微电子学与计算机》《计算机辅助设计与图形学学报》《物理学报》更多>>
相关基金:国家自然科学基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
柯达DR3500 X线机故障维修2例被引量:6
《北京生物医学工程》2019年第6期655-655,共1页陈宝剑 
DR3500型X线机是美国锐柯公司推出的一款性能稳定、质量良好的镰刀臂式数字化X线摄影系统(DR),自从装机以来很少出现故障,现将近期出现的故障总结如下。1故障一1.1故障现象开机及曝光正常,机器无报错,但控制台不能生成影像。
关键词:DR 故障维修 光纤 MOS电路 
Allegro发布创新的AxMR技术
《中国集成电路》2018年第5期8-8,共1页
近日,Allegro Micro Systems,LLC(Allegro)正式宣布推出其创新的AxMR技术平台,以加强公司作为磁传感器集成电路市场领导者的地位。Allegro的AxMR技术平台在单个芯片上集成了高灵敏度磁阻(MR)传感器器件和高精度BiC-MOS电路,通...
关键词:技术平台 创新 ALLEGRO 集成电路封装 Systems 磁传感器 集成工艺 MOS电路 
一种互补对称MOS电路在大功率太阳能控制器中的应用被引量:1
《南通航运职业技术学院学报》2015年第3期52-55,共4页石易立 
文章在分析太阳能控制器充电回路原理与常用电路的基础上,提出了一种新型互补对称MOS电路,并利用Cadence软件模拟其在太阳能电池充电的过程,使得充电回路的性能与功耗都得到了改善。
关键词:互补对称MOS电路 防反充二极管 太阳能控制器 
浅谈MOS电路的教学
《成功》2013年第7期90-91,共2页秦天海 
在现行中职电工电子类教材传统教学中,MOS电路教学难度大,教师授课时甚至一带而过,没有相应的验证性实验配合,教学效果不能令学生满意。作者通过对现行中职学校及职业院校电工电子类教材中MOS电路部分的分析,提出并论述了MOS电路教学中...
关键词:MULTISIM 
具有负阻微分特性的NDR-MOS电路模型及应用
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》2013年第1期5-8,共4页林弥 
该文介绍了基于MOS管构成具有负阻微分特性的网络,仿真了网络中各种参数改变对特性曲线的影响,负阻微分MOS网络可以模拟共振隧穿二极管的I-V特性。根据实际的InGaAs/AlAs/InP异质结共振隧穿二极管测试结果,通过设置合理的参数和偏置,给...
关键词:共振隧穿二极管 负阻微分网络 混沌系统 非线性特性 
采用PQFN4×4封装的高压栅级驱动IC
《今日电子》2011年第8期68-68,共1页
PQFN4×4封装的厚度不到1mm,与现有的表面贴装技术相兼容,达到二级潮湿敏感度(MSL2)业界标准,也符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。国际整流器公司的HVIC技术在一个智能驱动器IC中集成了N通道和P通道LDMOS电路。这些IC接收低...
关键词:驱动IC 高压 封装 国际整流器公司 表面贴装技术 MOS电路 驱动器IC 有害物质 
弱反型MOS电路的噪声和失调研究
《高职论丛》2008年第2期7-12,共6页瞿江峰 
随着便携式电子产品的不断推出,低功耗电路设计已成为一种趋势,而将MOS管偏置在弱反型区是模拟电路低功耗设计的主要方法。本文研究了电路偏置在弱反型区时器件噪声和失调产生的影响,并且提出了改善电路噪声和失调特性的方案。
关键词:弱反型 噪声 失调 
天龙(DENON)PMA-2000AE合并式放大器
《家庭影院技术》2005年第11期8-8,共1页
PMA-2000AE继承了PMA—S10Ⅲ的众多优点,其采崩的超高电流(UHC)MOS电路的峰值电流可以比传统的MOS—FET器件高3~10倍,从而既有强大的功率来驱动音箱,又能保持住音乐中的微妙细节。前级和输出级独立供电,避免了输出级在作强大的...
关键词:合并式放大器 MOS电路 天龙 独立供电 电压放大级 信号继电器 峰值电流 微弱信号 电源供电 相互干扰 
电离辐射对集成电路的影响被引量:2
《电子与封装》2005年第7期23-27,16,共6页杜迎 蔡荭 朱卫良 
本文描述了电离辐射对硅器件影响的机理。对试验后的数据进行了分析,指出电离辐射对双极电路、MOS电路、CMOS电路的影响结果。
关键词:电离辐射 MOS电路 双极电路 
长寿命MOS C-V分析方法——用于MOS电路参数失效分析
《中国集成电路》2003年第47期63-68,31,共7页陈永珍 
为了能及时地直接分析 PCM(Process Control Monitor)参数异常及电路失效原因,我们在 PCM 参数测试系统(如 HP4062,Ag 4070系列)上开发了 MOS C-V 测试分析功能。鉴于目前 MOS 工艺水平不断提高,最终产品片上硅表面空间电荷区少子产生...
关键词:MOS C-V分析方法 电路参数失效 使用寿命 氧化物电荷密度 集成电路生产过程 电容 编程测试 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部