电离辐射对集成电路的影响  

The Influence of Ionization Radiation for IC

作　　者：杜迎[1] 蔡荭[1] 朱卫良[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035

出　　处：《电子与封装》2005年第7期23-27,16,共6页Electronics & Packaging

摘　　要：本文描述了电离辐射对硅器件影响的机理。对试验后的数据进行了分析,指出电离辐射对双极电路、MOS电路、CMOS电路的影响结果。The infection mechanism of ionization radiation for silicon device is described in this paper. The test data is analyzed and the influence of ionization radiation for bipolar circuit, MOS circuit is indicated.

关 键 词：电离辐射 MOS电路 双极电路 

分 类 号：TL8[核科学技术—核技术及应用]