石建军

作品数：2被引量：0H指数：0
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：纳米硅超薄氧化层SIO2SIO库仑阻塞更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
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镶嵌在超薄SiO_2层中的纳米硅的库仑阻塞现象
《Journal of Semiconductors》2003年第1期29-33,共5页石建军 吴良才 鲍云 刘嘉瑜 马忠元 戴敏 黄信凡 李伟 徐骏 陈坤基 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 710 19;90 10 10 2 0 ) ;国家重点基础研究 (批准号 :2 0 0 1CB610 5 0 3 ) ;江苏省高科技研究 (No.BG2 0 0 10 0 2 )资助项目~~
采用等离子体氧化和逐层 (layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了 Si O2 /nc- Si/Si O2 的双势垒纳米结构 ,从 nc- Si薄膜的喇曼谱中观察到结晶峰 ,估算出该薄膜的晶化成分和平均晶粒尺寸分别约为...
关键词：SIO2 库仑阻塞 二氧化碳 纳米硅 超薄氧化层 隧穿 
a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x三明治结构的电荷存储效应
《固体电子学研究与进展》2002年第4期445-448,共4页戴敏 鲍云 石建军 张林 李伟 陈铠 王立 黄信凡 陈坤基 
国家自然科学基金资助 (项目编号 :90 10 10 2 0 ;60 0 710 19);江苏省自然科学基金资助 (项目编号 :BK2 0 0 10 2 8)
采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长技术结合限制性结晶原理 ,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法 ,使 a-Si:H层晶化 ,制备出了高密度的、尺寸均匀的 nc-Si薄膜 ;利用 Raman散射和透射电镜 (TEM)技术 ,分析了样品的结构特...
关键词：纳米硅 退火 电容-电压特性 电荷存储 
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