云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 戴敏

戴敏: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：南京大学更多>>; 发文主题：A-SI纳米硅电容-电压特性退火X更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>; 所获基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>

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a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x三明治结构的电荷存储效应: 《固体电子学研究与进展》2002年第4期445-448,共4页戴敏鲍云石建军张林李伟陈铠王立黄信凡陈坤基; 国家自然科学基金资助 (项目编号 :90 10 10 2 0 ;60 0 710 19);江苏省自然科学基金资助 (项目编号 :BK2 0 0 10 2 8); 采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长技术结合限制性结晶原理 ,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法 ,使 a-Si:H层晶化 ,制备出了高密度的、尺寸均匀的 nc-Si薄膜 ;利用 Raman散射和透射电镜 (TEM)技术 ,分析了样品的结构特...; 关键词：纳米硅退火电容-电压特性电荷存储