a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x三明治结构的电荷存储效应  

The Charge Storage Effect of a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x Sandwich Structure

作　　者：戴敏[1] 鲍云[1] 石建军[1] 张林[1] 李伟[1] 陈铠[1] 王立[1] 黄信凡[1] 陈坤基[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室,210093

出　　处：《固体电子学研究与进展》2002年第4期445-448,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助 (项目编号 :90 10 10 2 0 ;60 0 710 19);江苏省自然科学基金资助 (项目编号 :BK2 0 0 10 2 8)

摘　　要：采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长技术结合限制性结晶原理 ,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法 ,使 a-Si:H层晶化 ,制备出了高密度的、尺寸均匀的 nc-Si薄膜 ;利用 Raman散射和透射电镜 (TEM)技术 ,分析了样品的结构特性 ;采用 C-V测量方法 ,通过对退火和未退火样品的对比分析 ,对该三明治样品的电学性质进行了研究 ,观察到 nc-Si薄膜的电荷存储现象 ,并且该现象与 nc-Si层的厚度有着明显的关系。The amorphous silicon film (a Si) in nano size was fabricated with plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method and then crystallized by quasi equilibrium thermal anneal method. In this article, we analyzed the structural properties of sandwiched samples by means of Raman scattering spectrum and transmission electron microscope (TEM) and discussed the electrical properties of the samples by C V measurement at room temperature. We observed the storage phenomenon of charges in nc Si film which depends on the thickness of nc Si layer.

关 键 词：纳米硅 退火 电容-电压特性 电荷存储 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]